光刻技术的原理是什么?
光刻的原理是在硅片表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线（一般是紫外光、深紫外光、极紫外光）透过掩模照射在硅片表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。
光刻机原理： 是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。
光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。
工作原理 在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
光刻机原理是什么，为何在我国如此重要？一台EUV光刻机售价一亿美金以上，比很多战斗机的售价都要贵。
光刻胶涂胶回溅的原理
1、溅射的基本机理是物理过程，涉及到高能离子或粒子与固态材料（通常称为溅射目标）的相互作用。
2、溅射过程的特性主要取决于多个因素，包括溅射源和基板的性质，溅射粒子的能量和种类，以及溅射环境的条件。以下是一些主要的溅射特性： **能量分布**：溅射粒子的能量分布对薄膜的性质有重要影响。
3、软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。
4、光刻胶有喷涂和旋涂两种方式。对于微电子工艺，因为硅片表面平整，线宽要求严格，涂胶均匀度要求高。所以一般用旋涂。
5、rpm以上。滚涂光刻胶涂胶轮当涂胶主转速到4000rpm以上时，基本上维持转速不变进行旋转。
光刻用硅片不用石英的原因
近日，华为宣布由于收到制裁，芯片停产，而芯片制作工艺中一个不可缺少的就是光刻工艺。
也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
石英在这两个行业中主要用在：制备高纯石英坩埚，在多晶硅铸锭和单晶拉制的时候都要用到高纯石英坩埚，这是石英坩埚在光伏行业的最主要用途，切用量很大。 在多晶硅还原炉内需要用到高纯石英环。
测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
不用模板 用的是紫外线刻蚀 “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。
光刻蚀、掺杂等等）在硅片上做出导电的半导体电路。在同样大小的硅片上，就能做出来数量更多的电路，即能实现更高的集成度。同时，由于电路之间距离小了，导线的长度短了，所需的工作电压更低，能降低功耗，提高运行速度。
