mos寄生二极管是肖特基吗
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。
肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路，场效应管是三极管一，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。
首先，这个电路有错误，二极管不是并联在MOS管上，应该并联在电机两端，1n4007就可以。mos管本身就有寄生二极管，和D3方向一致，在MOS管内部。
肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
据描述，这是一个NMOS管，G极有5V电压，D极5V电压，S极5V电压，此时mos管是出于导通状态。
mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等
1、MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
2、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
3、电路图整理后如上图：R3与D3组成恒压源，经T的集电结和R1为MOS管供电。T为晶体管的集电结，发射结因反偏不导通视为开路略掉。C5在MOS的栅极和源极之间有点防自激振荡的意思。
4、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
5、栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。
6、分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g。另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
proteus仿真mos管电路图如下,发光二极管为何不亮?
1、没有问题的，二极管会亮的。那2N7002有两个，换一个试试，去掉那个J1试试，把R2改小点。参考下图，这可是亮的。
2、根据你仿真图中的二极管的接法，那公共端应该接地，这样，P1输出高电平二极管亮。你的程序看是亮7个。如果想P1输出低电平亮的话，那些二极管的正负极要交换一下，公共接电源才能亮。即二极管接反了。
3、用proteus仿真的时候发光二极管尽量用LED-YELLOW，也就是黄色二极管，因为颜色变化比较明显（如果可以，电阻改小一些）。刚试过，蓝色的变化不算太明显，但也可以看得出来。
4、这当然不会亮了，发光二极管的正极要加高电平才亮，而两个锁存器输出的全为低电平，加到二极管上的就是低电平，怎么会亮呢。要全加高电平才亮。
MOS管问题,原理图上栅级和源级之间的那个二极管起什么作用的?_百度...
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
mos栅源短接相当于一个体二极管，一般用来电压钳位。以PMOS栅源短接为例，其衬底和源极相连；此时源极等效为PN结的N端，漏极等效为PN结的P端，也就是说你现在看的到是一个从下方指向上方的二极管。
不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。
mos管中的寄生二极管都存在吗
不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。
在常用的MOS管的Datasheet中原理图上，常见D和S极之间有一个二极管，该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。
